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IRLI540N
C iss gs gd ds
3000
V G S = 0V, f = 1MHz
= C + C , C SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 18A
V D S = 80V
V D S = 50V
V D S = 20V
C iss
2000
9
6
1000
C oss
C rss
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80
100
A
1000
100
10
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R D S ( o n )
10μs
100μs
1ms
V G S = 0V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
100
A
1000
V S D , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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